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GAN将逐渐取代LDMOS

来源:  发布时间:2019-01-15   点击量:94

如今,电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间,但可以确定,新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑,可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

对此,市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出,RF功率市场近期可望由衰转盛,并以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时,氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),成为市场主流技术。

电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐,RF功率市场可望脱离2015年以来的低潮,开始蓬勃发展--报告指出,整体市场营收到2022年底则有望暴增75%之多,2016~2022年间CAGR将达9.8%;其中,占电信基础设施近一半比重的基站、无线回程网络等相关组件,同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者,鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳,砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管,提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期,此部分营收至2022年将成长20%,2016~2022年间CAGR达4.3%。

技术方面,受与日俱增的信息流量、更高操作频率与带宽等需求驱使,GaN组件使用越来越普遍,正于电信大型基站、雷达/航空用真空管与其它宽带应用上取代LDMOS组件,现已占据整体20%营收以上。 针对未来网络设计,Yole表示,GaN之于载波聚合(CA)、多输入多输出(MIMO)等新科技,效能与带宽上双双较LDMOS具优势。 此外,得力于在行动网络产业发展得当,GaAs技术已成熟到能进入市场,可望在国防、有线电视等应用上稳占一席之地。

此报告估计,GaN将于未来5~10年成为3W以上RF功率应用的主流技术,GaAs基于其稳定性与不错的性价比,也得以维持一定比重;至于LDMOS部分则将继续衰退,市场规模跌至整体15%,然考虑到其高成熟性与低成本等,短期内在RF功率市场仍不至面临淘汰。

伴随RF功率组件发展趋势日渐明朗,各家大厂开始有所动作、抢争新世代科技的主导权:主流LDMOS供货商包括恩智浦(NXP)、安谱隆(Ampleon)、英飞凌(Infineon)等,正尝试透过外部代工获取GaN技术;传统GaAs厂商亦纷纷开始着重投资在此,少部分已成功将产能转进GaN、在市场拔得头筹;至于纯GaN供货商如科锐(Cree )旗下之Wolfspeed,一方面为LDMOS大厂供应相关组件、壮大市场,一方面则努力确保自身在GaN技术发展的领先地位。

据Yole指出,待GaN组件成为主流,掌握GaN市场的厂商将取代LDMOS主力厂商,成为RF功率市场领导者--现阶段除Wolfspeed,该领域领导厂商几乎都是由GaAs厂商转进。 就近期包括Infineon收购Wolfspeed受阻于美国政府、和康电讯(M/A-COM)与Infineon间的诉讼等相关事件来看,该领域的竞争似乎也日趋白热化。

热门标签:电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间但可以确定新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

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